(l)盡可能地讓CVD設備的真空系統處于真空狀態。CVD設備按淀積工藝要求，所用的工藝氣體及反應生成副產物，一般都具有強烈的腐蝕性。如果
Si3N4薄膜淀積完畢后不及時將反應殘余氣體抽盡，則很可能腐蝕氣路接口、波紋管、真空計、真空泵等。所以，在Si3N4薄膜淀積完畢后，盡量延長真空泵的抽氣時間，以便盡可能地抽除殘余氣體。遇到幾天不用時，開啟一次真空泵抽一次，以提高設備使用完好率。
(2)及時充裝氮氣。在作完工藝后，爐管內石英舟上裝有淀積好的硅片，一定要將其保存在充滿氮氣的環境內，以防止氧化、腐蝕，這樣可以更好的保存。
(3)定期更換真空泵油。雖然所使用的真空系統安裝了真空泵油過濾器，能保持較長時間的泵油清潔。但對于象SiH2C12+NH3這樣的反應體系，由于反應時在爐尾和爐口兩端生成了副產物NH4CI白色粉末，NH4CI在反應管后部的波紋管、真空管壁上淀積是相當嚴重的，它和HCI等有害雜質隨時有被抽至真空泵的危險。這些顆粒，不斷少量地進人真空泵，使泵油變稠，堵塞泵油過濾系統，影響設備的正常運轉。所以必須定期更換真空泵油。
(4)定期檢修電磁閥。為了防止真空泵油返回真空管道內，在真空泵上安裝了電磁閥，該電磁閥常見的故障是，電磁閥內由于有少量的NH4CI粉末存在，使電磁閥內的O型密封圈的密封性能降低，導致真空系統存在著慢泄漏，整個設備的真空系統在停機后不能保持真空狀態，只有定期檢修電磁閥，清洗后更換電磁閥內的O型密封圈，才能在薄膜淀積完畢后使CVD設備的真空系統處于真空狀態。
(5)定期清洗石英管。在淀積過程中石英管和石英舟上都會淀積上一層薄膜，在每次工藝結束后，都應將石英舟在原位適當移動一下，以免石英舟和石英管沾附。隨著工藝生產的增多，在石英管和石英舟上淀積的薄膜越來越厚。在達到一定程度后，石英管出現了硅裂的現象，也使得整個石英管的承重加大，超過了其最大負載，一根石英管出現一定程度的下沉(原來兩根石英管處于同一水平面上)。從而導致石英舟上裝的硅片也跟著一起下沉，偏離了爐管中心位置，造成淀積的薄膜不均勻。因此，進行定期清洗才能保證工藝的穩定性和可重復性，從而保證產品質量
