一般說來,采用PECVD 技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：
首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；
其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；
最后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。
氣體(如SiH4，NH3，N2等)在射頻電源的作用下電離成離子；經過多次碰撞產生了大量的SiH3-，H-等活性基；這些活性基被吸附在基板上或者取代基板表面的H原子；被吸附的原子在自身動能和基板溫度的作用下在基板表面遷移，選擇能量最低的點穩定下來；同時基板上的原子不斷脫離周圍原子的束縛，進入等離子體中，以達到動態平衡；當原子沉積速度大于逃逸速度后就可以不斷在基板表面沉積成我們所需要的薄膜了。
